Kanallängenmodulation n-Kanal-MOSFET

[Inferno333]

Hallo,

Die Kanalabschnürung im Sättigungsbereich bewirkt ja, dass der Drainstrom als Konstantstromquelle angesehen werden kann (im idealen Ausgangskennlinenfeld). Warum verursacht dann der Anstieg der Spannung Uds (Drain-Source-Spannung) eine Erhöung von Id? Dadurch wird ja die Kanalabschnürung weiter vorangetrieben.

Meine Frage ist,
warum die Kanalabschnürung sowohl eine Sättigung des Drainstromes als auch (bei dessen Erhöhung) wieder einen Anstieg von Id verursacht?

[TBuktu]

Kann man leicht ergoogeln - vorausgesetzt, man versucht es

Skript Uni Heidelberg - mit Bildern und bunt